磊晶晶圆之制造方法及磊晶晶圆

摘要

本发明系提供一种磊晶晶圆之制造方法，系藉由对矽晶圆上供给原料气体，使磊晶层气相成长，来制造磊晶晶圆的方法，其特征为：藉由控制前述气相成长之磊晶层的成长速度及/或成长温度，来控制在前述矽晶圆的周边部所形成的磊晶层的厚度。藉此，在磊晶成长时，藉由控制在最外周附近之磊晶层的厚度，可提供一种能够制造出下降量(roll off)的值小的磊晶晶圆之方法。

主权项

一种磊晶晶圆之制造方法，系藉由对矽晶圆上供给原料气体，使磊晶层气相成长来制造磊晶晶圆的方法，其特征为：预先求得磊晶层的成长速度及/或成长温度、与该磊晶层在成长前后之下降量的差之相互关系，基于该相互关系，藉由控制在成为制品的矽晶圆上成长之磊晶层的成长速度及/或成长温度，来控制该磊晶层之成长后的下降量。