发明名称 |
于半导体上镀覆铜 |
摘要 |
一价铜镀覆浴系用以金属化半导体晶圆之正面或射极面之电流轨道。铜系藉由电解电镀或LIP选择性地沉积于该等电流轨道之上。可使用传统金属镀覆浴进行该等电流轨道之额外之金属化。经金属化之半导体可用于光伏装置之制造中。 |
申请公布号 |
TWI445847 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
申请号 |
TW101113558 |
申请日期 |
2012.04.17 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 美国 |
发明人 |
韩 盖瑞;瑞斯 杰森A;魏玲芸 |
分类号 |
C25D7/12;C25D3/38 |
主分类号 |
C25D7/12 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种方法,系包含:a)提供半导体,其系包含正面、背面及PN接面,该正面系包含导电轨道之图案,该导电轨道之图案系包含下方层,且该背面系包括金属接触;b)将该半导体与一价铜镀覆组成物接触;以及c)将铜层镀覆于该导电轨道之该下方层上。 |
地址 |
美国 |