具有超级介面之功率电晶体元件之制作方法

摘要

本发明提供一种功率电晶体元件之制作方法。首先，提供具有一第一导电类型之一半导体基底，并于半导体基底中形成至少一沟槽。接着，于沟槽中填入一掺杂物来源层，并进行一第一热趋入制程，于半导体基底中分别形成具有一第二导电类型之二扩散掺杂区，其中各扩散掺杂区邻近沟槽之掺杂浓度不同于各扩散掺杂区远离沟槽之掺杂浓度。然后，移除掺杂物来源层，并进行一斜角度离子布植制程与一第二热趋入制程，以调整邻近沟槽之各扩散掺杂区之掺杂浓度。

主权项

一种具有超级介面之功率电晶体元件之制作方法，包括：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；于该半导体基底中形成至少一沟槽；于该沟槽中填入一掺杂物来源层，其中该掺杂物来源层包括复数个掺杂物，且该等掺杂物具有不同于该第一导电类型之一第二导电类型；进行一第一热趋入制程，将该等掺杂物扩散至该半导体基底中，以于该沟槽之二侧之该半导体基底中分别形成二扩散掺杂区，其中各该扩散掺杂区邻近该沟槽之侧壁之掺杂浓度不同于各该扩散掺杂区远离该沟槽之侧壁之掺杂浓度；移除该掺杂物来源层；以及进行一斜角度离子布植(tilt-angle ion implantation)制程与一第二热趋入制程，以调整邻近该沟槽之侧壁之各该扩散掺杂区之掺杂浓度。