用于低供应电压记忆体单元的感测电路

摘要

感测电路藉由侦测记忆体单元的输出电流来辨识记忆体单元在写入状态或抹除状态下运作。感测电路包含参考电晶体、一P型金氧半电晶体、及一N型金氧半电晶体。P型金氧半电晶体之闸极连接于记忆体单元以接收其输出电流。N型金氧半电晶体之汲极连接于P型金氧半电晶体之汲极，且其源极接地。反向器之输入端连接于N型金氧半电晶体之汲极。反向器之输出端的电压用来指示记忆体单元在写入状态或抹除状态下运作。参考电晶体之闸极连接于参考讯号，且其汲极连接于P型金氧半电晶体之闸极。

主权项

一种用于低供应电压记忆体单元的感测电路，包含：一感测模组，包含：一第一P型金氧半电晶体，其闸极连接于一记忆体单元，以接收该记忆体单元之一输出电流；及一第一N型金氧半电晶体，其汲极系连接于该第一P型金氧半电晶体之汲极，且该第一N型金氧半电晶体之源极系接地；一反向器，其一输入端系连接于该第一N型金氧半电晶体之汲极；一第二P型金氧半电晶体，其汲极系连接于该第一P型金氧半电晶体之源极，该第二P型金氧半电晶体之闸极系连接于该反向器之一输出端，且该第二P型金氧半电晶体之源极系连接于一供应电压；及一参考电晶体，其闸极系连接于一参考讯号，且该参考电晶体之汲极系连接于该第一P型金氧半电晶体之闸极；其中位于该反向器之该输出端的一电压系用来指示该记忆体单元之一写入状态(Program State)或一抹除状态(Erase State)；其中流经该第一N型金氧半电晶体之一电流系用来与流经该第一P型金氧半电晶体之一电流比较；及其中流经该参考电晶体之一电流系用来与该记忆体单元所产生之一电流比较。