半导体元件之制造方法

摘要

本发明为有关一种半导体元件之制造方法，系将半导体元件所成型之层叠式晶片，于第一表面透过蚀刻加工成型一道或一道以上适当深渡之隔离道，再针对各隔离道进行光、电性能之测试，且检测后可用之晶片，反向以第一表面贴附位于工作平台上之胶膜，而晶片另侧朝上之第二表面，予以涂布受光性之水溶性介质，则由工作平台底部以侦测器向上进行侦测晶片所预设之各隔离道，并配合低功率雷射光源(Pico second laser)，经由介质针对各隔离道进行切割加工后，将晶片位于第二表面之介质除去，透过隔离道进行晶片崩裂，而成型之复数晶粒再转向以第一表面朝上放置，进行晶粒之外观检测，供进行后续加工制程。

主权项

一种半导体元件之制造方法，其步骤系：(a)将半导体元件之晶片，由第一表面进行蚀刻预设深度，以成型一道以上之隔离道；(b)针对晶片上一道以上之隔离道进行光、电性能测试；(c)再将检测后可用之晶片，以第一表面反向贴附位于工作平台上之胶膜；(d)而晶片反向后另侧朝上之第二表面，即进行涂布受光性之介质；(e)透过侦测器由工作平台底部，侦测晶片的第一表面预设成型一道以上之隔离道，并配合低功率雷射光源，该低功率雷射光源，系为微型雷射激光(PICO second LASER)，且雷射光之波长系介于200nm~800nm之间，经由介质针对一道以上之隔离道进行切割加工；(f)将晶片的第二表面涂布之介质予以除去，并针对一道或一道以上隔离道进行晶片崩裂、分离，而成型复数晶粒成品；(g)将成型后之复数晶粒成品再转向，以第一表面朝上放置，并检测各晶粒成品之外观，进行晶粒成品之筛选；(h)复数晶粒成品进行后续加工制程。