发明名称 凸块制程及其结构
摘要 一种凸块制程,其包含提供一矽基板,该矽基板系具有复数个焊垫;形成一含钛金属层于该矽基板,该含钛金属层系具有复数个第一区及第二区;形成一光阻层于该含钛金属层;图案化该光阻层以形成复数个开槽;形成复数个凸块底部包覆层于该含钛金属层上;形成复数个铜凸块于该些开槽内;进行一加热步骤;形成复数个凸块外部包覆层,以使各该凸块外部包覆层系连接各该凸块底部包覆层,并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹层;形成复数个接合层于各该凸块外部包覆层;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层之该些第二区,并使该含钛金属层之各该第一区形成为一凸块下金属层。
申请公布号 TWI446468 申请公布日期 2014.07.21
申请号 TW100145441 申请日期 2011.12.09
申请人 颀邦科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区东区力行五路3号 发明人 郭志明;邱奕钏;何荣华
分类号 H01L21/60;H01L23/488 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 一种凸块制程,其至少包含:提供一矽基板,该矽基板系具有一表面、复数个设置于该表面之焊垫及一设置于该表面之保护层,该保护层系具有复数个开口,且该些开口系显露该些焊垫;形成一含钛金属层于该矽基板,该含钛金属层系覆盖该些焊垫,且该含钛金属层系具有复数个第一区及复数个位于该些第一区外侧之第二区;形成一光阻层于该含钛金属层;图案化该光阻层以形成复数个开槽,该些开槽系对应该含钛金属层之该些第一区且各该开槽系具有一内侧壁;形成复数个凸块底部包覆层于该些开槽,且各该凸块底部包覆层系覆盖该含钛金属层之各该第一区,各该凸块底部包覆层系具有一外侧壁;形成复数个铜凸块于各该凸块底部包覆层上,各该铜凸块系具有一第一顶面、一环壁及一底面,该底面系位于该凸块底部包覆层上;进行一加热步骤,以使该光阻层之各该开槽形成扩孔,而使各该开槽之该内侧壁及各该凸块底部包覆层之该外侧壁之间形成有一第一间距,及使各该开槽之该内侧壁及各该铜凸块之该环壁之间形成有一第二间距;形成复数个凸块外部包覆层于该些第一间距、该些第二间距、各该铜凸块之该第一顶面及该环壁,以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层,而使各该凸块外部包覆层及各该凸块底部包覆层形成一包覆各该铜凸块之凸块包裹层,各该凸块包裹层系完全包覆各该铜凸块,且各该凸块外部包覆层系具有一第二顶面;形成复数个接合层于该些凸块外部包覆层之该些第二顶面;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层之该些第二区,并使该含钛金属层之各该第一区形成为一位于各该凸块包裹层下之凸块下金属层。
地址 新竹市新竹科学工业园区东区力行五路3号