ＬＥＤ晶圆之接合方法、ＬＥＤ晶粒之制造方法及ＬＥＤ晶圆与基体之接合结构

摘要

一种LED晶圆之接合方法、LED晶粒之制造方法及LED晶圆与基体之接合结构。LED晶圆之接合方法包括以下步骤。形成一第一金属薄膜层于LED晶圆上。形成一第二金属薄膜层于基体上。形成一接合材料层于第一金属薄膜层表面，接合材料层之熔点低于摄氏110度。置放LED晶圆于基体上。以一预固反应温度加热接合材料层一预固时间，以进行依预固反应并形成一第一介金属层及一第二介金属层。以一扩散反应温度加热接合材料层一扩散时间，以进行一扩散反应，扩散反应后之第一介金属层及第二介金属层之熔点高于摄氏110度。

主权项

一种发光二极体(LED)晶圆之接合方法，用以结合一LED晶圆及一基体，该接合方法包括：形成一第一金属薄膜层于该LED晶圆上；形成一第二金属薄膜层于该基体上；形成一接合材料层于第一金属薄膜层表面，该接合材料层之熔点低于摄氏110度(℃)；置放该LED晶圆于该基体上，使该接合材料层接触该第二金属薄膜层；以一预固反应温度加热该接合材料层一预固时间，以进行一预固反应并于该第一金属薄膜层及该接合材料层之间形成一第一介金属层，且于该第二金属薄膜层及该接合材料层之间形成一第二介金属层，该预固反应温度为摄氏80到200度；以及以一扩散反应温度加热该接合材料层一扩散时间，以进行一扩散反应，该扩散反应后之该第一介金属层及该第二介金属层之熔点高于摄氏110度。