| 发明名称 |
用于半导体制程之载体分离方法 |
| 摘要 |
本发明系关于一种用于半导体制程之载体分离方法，包括以下步骤：(a)设置一半导体晶圆之一第一表面于一第一载体上；(b)于该半导体晶圆之一第二表面进行表面处理，该第二表面系相对于该第一表面；(c)设置一第二载体于该半导体晶圆之该第二表面；(d)移除该第一载体；(e)设置该半导体晶圆之该第一表面于一框架；及(f)移除该第二载体。本发明之载体分离方法利用该第二载体支撑保护该半导体晶圆，再移除该第一载体，故不会造成该半导体晶圆之损坏及破片，可提高制程之良率。另外，移除该第一载体及该第二载体之方法简化，可提高制程效率。 |
| 申请公布号 |
TWI446420 |
申请公布日期 |
2014.07.21 |
| 申请号 |
TW099128960 |
申请日期 |
2010.08.27 |
| 申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 高雄市楠梓加工区经三路26号 |
发明人 |
杨国宾 |
| 分类号 |
H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13 |
| 主权项 |
一种用于半导体制程之载体分离方法，包括以下步骤：(a)设置一半导体晶圆之一第一表面于一第一载体上，于该第一载体之一第一表面形成复数个凹槽，该等凹槽不贯穿该第一载体，且涂布黏胶于该第一载体之该第一表面，使该半导体晶圆黏着于该第一载体上；(b)于该半导体晶圆之一第二表面进行表面处理，该第二表面系相对于该第一表面；(c)设置一第二载体于该半导体晶圆之该第二表面；(d)移除该第一载体；(e)设置该半导体晶圆之该第一表面于一框架；及(f)移除该第二载体。 |
| 地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |
