| 摘要 |
Способ защиты поверхности кристаллов р-n переходов на основе алюминия, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи на основе окиси алюминия в виде порошка при температуре 1050°С, температура кристалла -850°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником окиси алюминия и кристалла равно 15 см, при этом толщина пленки окиси алюминия δ=0,9±0,1 мкм. |
