发明名称 |
DISPOSITIF DE COMMUTATION AVEC DIVISEUR RESISTIF |
摘要 |
Des modes de réalisation proposent un dispositif de commutation comprenant un ou plusieurs transistors à effet de champ (FET) (104). Dans des modes de réalisation, un diviseur résistif (132) comprenant une première résistance (136) et une seconde résistance (140) peut être couplé au FET à une position électriquement entre une borne de grille (120) du FET et une borne de corps (124) du FET. |
申请公布号 |
FR3001097(A1) |
申请公布日期 |
2014.07.18 |
申请号 |
FR20140050111 |
申请日期 |
2014.01.08 |
申请人 |
TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
PRABHAKAR RAVISHANKAR;FURINO JR. JAMES P. |
分类号 |
H03K17/12 |
主分类号 |
H03K17/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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