发明名称 DISPOSITIF DE COMMUTATION AVEC DIVISEUR RESISTIF
摘要 Des modes de réalisation proposent un dispositif de commutation comprenant un ou plusieurs transistors à effet de champ (FET) (104). Dans des modes de réalisation, un diviseur résistif (132) comprenant une première résistance (136) et une seconde résistance (140) peut être couplé au FET à une position électriquement entre une borne de grille (120) du FET et une borne de corps (124) du FET.
申请公布号 FR3001097(A1) 申请公布日期 2014.07.18
申请号 FR20140050111 申请日期 2014.01.08
申请人 TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 PRABHAKAR RAVISHANKAR;FURINO JR. JAMES P.
分类号 H03K17/12 主分类号 H03K17/12
代理机构 代理人
主权项
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