发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Verbundes und eines Leistungshalbleitermoduls
摘要 Verfahren zur Herstellung eines Verbundes, bei dem mindestens zwei Fügepartner (11, 12) fest miteinander verbunden werden, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Fügepartners (11) und eines zweiten Fügepartners (12); Bereitstellen eines Verbindungsmittels (21); Bereitstellen eines Dichtmittels (4); Bereitstellen eines eine Druckkammer (6) aufweisenden Reaktors (7); Bereitstellen eines Heizelementes (8); Anordnen des ersten Fügepartners (11), des zweiten Fügepartners (12) und des Verbindungsmittels (21) in der Druckkammer (6), so dass sich das Verbindungsmittel (21) zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem zweiten Fügepartner (12) befindet; Erzeugen eines gasdichten Bereichs (5), in welchem das Verbindungsmittel (21) angeordnet ist; Erzeugen eines Gasdrucks (p62) in der Druckkammer (6) außerhalb des gasdichten Bereichs (5), so dass der Gasdruck (p62) auf den gasdichten Bereich (5) einwirkt und den ersten Fügepartner (11), den zweiten Fügepartner (12) sowie das zwischen diesen befindliche Verbindungsmittel (21) mit mindestens 2 MPa (20 bar) aneinander presst; Erhitzen des ersten Fügepartners (11), des zweiten Fügepartners (12) und des Verbindungsmittels (21) mittels des Heizelementes (8) auf eine vorgegebene Maximaltemperatur von mindestens 210°C; nachfolgendes Abkühlen des ersten Fügepartners (11), des zweiten Fügepartners (12) und des Verbindungsmittels (21); wobei das Volumen der geschlossenen Druckkammer (6) kleiner oder gleich 200 ml ist.
申请公布号 DE102011080929(B4) 申请公布日期 2014.07.17
申请号 DE20111080929 申请日期 2011.08.12
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BAYERER, REINHOLD;HOHLFELD, OLAF
分类号 H01L21/50;H01L21/58;H01L25/04 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人
主权项
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