发明名称 String-Auswahlstruktur einer dreidimensionalen Halbleitervorrichtung
摘要 <p>Eine dreidimensionale Halbleitervorrichtung weist erste und zweite Auswahlleitungen (SSL1, SSL2), welche aufeinander geschichtet sind, auf. Eine obere Leitung kreuzt horizontal die ersten und die zweiten Auswahlleitungen (SSL1, SSL2). Erste und zweite vertikale Muster (VP1, VP2) kreuzen vertikal die ersten und die zweiten Auswahlleitungen (SSL1, SSL2). Die ersten und zweiten vertikalen Muster (VP1, VP2) sind gemeinsam mit der oberen Leitung verbunden. Jedes der ersten und zweiten vertikalen Muster (VP1, VP2) konstituiert erste und zweite Auswahltransistoren (ST_L, ST1L, ST2L, ST_R, ST1R, ST2R), welche in Serie miteinander verbunden sind. Die ersten Auswahltransistoren (ST_L, ST1L, ST_R, ST1R) der ersten und zweiten vertikalen Muster (VP1, VP2) werden jeweils durch die ersten und zweiten Auswahlleitungen (SSL1, SSL2) gesteuert.</p>
申请公布号 DE102014100030(A1) 申请公布日期 2014.07.17
申请号 DE201410100030 申请日期 2014.01.03
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, CHANGHYUN;HWANG, SUNG-MIN
分类号 H01L27/115;H01L23/52 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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