发明名称 |
一种低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于精密合金领域,特别涉及一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法。该合金的化学成分按重量%为:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量为Fe;该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备:高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。热处理制度为:高纯氢气保护,随炉升温至970±10℃,保温2.5~3h,以200~250℃/h降温至550±10℃,快冷至300℃以下出炉。本发明与现有的低膨胀合金4J32相比,在保持低膨胀特性的前提下,具有较高的初始磁导率,使合金兼具低膨胀性能和磁屏蔽性能两大优点。即:在-45~+75℃温度范围内,合金的膨胀系数在1.0×10<sup>-6</sup>/℃以下;初始磁导率高于1.5mH/m。 |
申请公布号 |
CN103924153A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410162936.4 |
申请日期 |
2014.04.22 |
申请人 |
钢铁研究总院 |
发明人 |
朱弢;杨锋;张建福;张敬霖;卢凤双;张建生;于一鹏;朱熠 |
分类号 |
C22C38/10(2006.01)I;C22C38/16(2006.01)I;C21D1/74(2006.01)I;C21D6/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C38/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 |
代理人 |
张小娟 |
主权项 |
一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金,其特征在于:该合金的化学成分按重量%为:Ni32.0~35.2,Co3.0~3.5,Mn0.10~0.25,Si≤0.15,Cu≤0.02,C≤0.01,P≤0.01,S≤0.01,余量为Fe;该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备:高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。 |
地址 |
100081 北京市海淀区学院南路76号 |