发明名称 提高闪存介质数据存取速度的方法
摘要 本发明提供一种提高闪存介质数据存取速度的方法,包括:获取闪存介质的闪存特性的步骤;接收写入配置参数的命令;执行写入配置参数的命令,将所述闪存特性写入内部信息记录表;写入用于控制数据存取的信息,对所述闪存介质格式化;根据配置参数绑定物理块的步骤;对绑定物理块进行数据操作的步骤。本发明提供的提高闪存介质数据存取速度的方法能将多片、多种类型、各种厂商的闪存介质统一起来,形成统一的通用管理模块进行配置管理,按照配置进行页和块的灵活逻辑绑定,最大限度地提高读写速度,提高存储装置主控的数据处理能力。
申请公布号 CN101533663B 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN200810007361.3 申请日期 2008.03.11
申请人 深圳市朗科科技股份有限公司 发明人 万红波
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/20(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 胡海国;王艳春
主权项 一种提高闪存介质数据存取速度的方法,包括:获取闪存介质的闪存特性的步骤;接收写入配置参数的命令;执行写入配置参数的命令,将所述闪存特性写入内部信息记录表;写入用于控制数据存取的信息,对所述闪存介质格式化;根据配置参数绑定物理块的步骤,其中,该步骤包括为绑定物理块分配物理地址,并建立绑定对照关系;对绑定物理块进行数据操作的步骤,所述对绑定物理块进行数据操作的步骤,包括:读取所述配置参数;接收写入数据的命令,执行写数据操作;判断是否为最后一个外部交叉读写操作,若否则根据所述绑定对照关系,使用外部交叉读写技术进行写数据操作;判断是否为最后一个内部交叉读写操作,如否则根据所述绑定对照关系,使用内部交叉读写技术进行写数据操作;判断写数据操作是否执行到最后一个阶,如否,则根据所述绑定对照关系,使用多阶读写技术进行写数据操作。
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