发明名称 |
一种提纯液晶材料的方法 |
摘要 |
一种提纯液晶材料的方法,该法用高活性吸附材料作吸附剂,并通过外加电场的离子膜提纯器,加强液晶材料中杂质离子移动,从而提高液晶材料的电阻率、电荷保持率,并能保持高电阻率的状态稳定。吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41介孔分子筛、SBA-15介孔分子筛、活性炭纤维或活性硅胶,或它们的组合物;优选吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝、MCM-41分子筛或它们的组合;吸附剂用量为液晶量的0.5wt%~10wt%,提纯时间30~210min,电场强度0.2kV/cm~20kV/cm,电极间距1mm~50mm。电极为板式或网式贵金属氧化物涂层电极;离子膜为均相阴离子交换膜或均相阳离子交换膜;溶剂为烷烃,芳烃,醇或醚;液晶材料是单体液晶化合物或混合液晶组合物;提纯装置对较大量液晶可实现连续提纯。 |
申请公布号 |
CN101760203B |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN200910273131.6 |
申请日期 |
2009.12.08 |
申请人 |
武汉工业学院 |
发明人 |
任占冬;张智勇;朱玉婵;张开诚 |
分类号 |
C09K19/00(2006.01)I;B01D15/26(2006.01)I;B01D17/06(2006.01)I |
主分类号 |
C09K19/00(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
张安国 |
主权项 |
一种提纯液晶材料的方法,其特征在于:利用高活性的吸附材料作为吸附剂,并辅以外加电场,深度提纯精制液晶材料,所述的吸附剂为纳米二氧化硅、纳米氧化铝和MCM‑41的组合物,吸附剂的孔径为2~20nm;吸附剂的比表面积为500~1500m<sup>2</sup>/g,吸附剂用量为液晶材料质量的2wt%~5wt%;所述的外加电场是直流电场或交流电场,且提纯装置为三槽离子膜提纯器,提纯器中不同提纯室内分别装有液晶材料、溶剂和吸附剂,所述的溶剂为正己烷、甲苯或乙醇,所述的液晶材料为单体液晶化合物或混合液晶组合物。 |
地址 |
430023 湖北省武汉市汉口常青花园中环西路特一号 |