| 摘要 |
一些实施例包含具有延伸至一半导体基底中之一闸极之一半导体结构。导电掺杂源极及汲极区域在基底内与闸极相邻。一闸极介电质具有:一第一区段,其介于该源极区域与该闸极之间;一第二区段,其介于该汲极区域与该闸极之间;及一第三区段,其介于该第一区段与该第二区段之间。该闸极介电质之至少一部分包括铁电材料。在一些实施例中,该铁电材料在该第一区段、该第二区段及该第三区段之各者内。在一些实施例中,该铁电材料在该第一区段或该第三区段内。在一些实施例中,一电晶体具有一闸极、一源极区域及一汲极区域;及具有介于该源极区域与该汲极区域之间之一通道区域。该电晶体具有一闸极介电质,其包含介于该源极区域与该闸极之间之铁电材料。 |
