具有补偿掺杂以减少漏电流的偏极效应载子产生装置结构;POLARIZATION EFFECT CARRIER GENERATING DEVICE STRUCTURES HAVING COMPENSATION DOPING TO REDUCE LEAKAGE CURRENT

摘要

半导体结构具有:第一半导体层;及电载子产生层设置于第一半导体层上以由偏极化效应产生电载子于第一半导体层中,电载子产生层具有预定的导带及预定的价带,电载子产生层具有非载子产生的污染物的浓度,其具有能阶,非载子型的污染物的能阶与导带或价带的能阶的其中之一的能阶的差异大于10kT,其中k为波兹曼常数且T为电载子产生半导体层的温度。