发明名称 |
使用抛光矽晶圆条于极紫外光均质器之方法;METHODS OF USING POLISHED SILICON WAFER STRIPS FOR EUV HOMOGENIZER |
摘要 |
本发明系具有高反射侧而使得能够聚焦极紫外光照明之光均质器或光隧道。该均质器之该等侧系自高度抛光之矽晶圆切割。在自该晶圆切割条之前,用反射涂层涂覆该晶圆。本发明亦包含将该等条整平并向该等条施加背衬而使得能够在组装及使用期间更容易地操作该等条之方法。 |
申请公布号 |
TW201428421 |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
TW102143924 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
克莱谭克公司 |
发明人 |
王代冕;区利塞 法蓝克 |
分类号 |
G03F1/84(2012.01);G03F7/20(2006.01);G01N21/94(2006.01) |
主分类号 |
G03F1/84(2012.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
主权项 |
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地址 |
KLA-TENCOR CORPORATION 美国 |