发明名称 |
用于减少电化学电池中的自放电的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于减小电化学电池的自放电速率和自放电速率的变异系数的方法,其中在电池的阴极和阳极之间插入多孔隔膜,并且多孔隔膜包含纳米网,所述纳米网包括多根纳米纤维,所述纳米纤维可包含全芳族聚酰亚胺,并且全芳族聚酰亚胺具有大于0.51的酰亚胺化度,其中酰亚胺化度为1375cm<sup>-1</sup>处的酰亚胺C-N吸光度与1500cm<sup>-1</sup>处的C-H吸光度的高度的比率。 |
申请公布号 |
CN103931022A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201280055697.1 |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
纳幕尔杜邦公司 |
发明人 |
T.J.登内斯;S.马祖尔 |
分类号 |
H01M2/16(2006.01)I;H01M10/0525(2006.01)I;H01G9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01M2/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
邹雪梅;李炳爱 |
主权项 |
一种方法,所述方法用于通过在电化学电池的阴极和阳极之间插入多孔隔膜来减小所述电池的自放电速率和自放电速率的变异系数,并且其中所述多孔隔膜包括纳米网,所述纳米网还包括多根纳米纤维,其中所述纳米纤维基本上由全芳族聚酰亚胺组成,所述全芳族聚酰亚胺包括衍生自PMDA/ODA的单体单元,并且所述全芳族聚酰亚胺具有大于0.51的酰亚胺化度,其中酰亚胺化度为1375cm<sup>‑1</sup>处的所述酰亚胺C‑N吸光度与1500cm<sup>‑1</sup>处的所述C‑H吸光度的高度的比率。 |
地址 |
美国特拉华州威尔明顿 |