发明名称 |
一种基于多场耦合的键合方法 |
摘要 |
本发明提供了一种基于多场耦合的键合方法,首先在衬底上制备一层金属薄膜作为基底,之后用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构作为键合层,最后在一定温度和压力条件下,将金属基底连接恒流脉冲电源,通电持续一段时间后断开电源,再恒温恒压保持一定时间,利用纳米界面间电流集聚和电迁移效应,产生局部焦耳热,促进原子间扩散,即可实现低温固态键合。本发明工艺简单,操作方便,较低的温度和压力增强了工艺可靠性,在三维封装、微系统制造等领域具有应用前景。 |
申请公布号 |
CN103928300A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410145672.1 |
申请日期 |
2014.04.14 |
申请人 |
河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
发明人 |
宋晓辉;乔彦超;赵兰普;庄春生;岳鹏飞;张萍 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于多场耦合的键合方法,其特征是在衬底上制备一层金属薄膜作为基底,之后用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构作为键合层,最后在一定温度和压力条件下,将金属基底连接恒流脉冲电源,通电持续一段时间后断开电源,再恒温恒压保持一定时间。 |
地址 |
450008 河南省郑州市金水区政六街22号 |