改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法

摘要

本发明提供了一种改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法，包括：将带有鳍结构和隔离结构的半导体衬底置于反应腔室内；减小反应腔室的压强；通入氧气和氢气的混合气体；恒温加热半导体衬底，利用所产生的原子氧来氧化鳍结构表面，从而形成氧化层。采用本发明的方法，能够在鳍结构表面快速生成厚度一致且拐角光滑的氧化层，且所生成的氧化层的厚度超薄，有效改善了鳍结构表面氧化层的形貌，提高了finFET工艺的质量。

主权项

一种改善finFET鳍结构表面氧化层形貌的方法，其特征在于，包括：步骤S01：将带有鳍结构和隔离结构的半导体衬底置于反应腔室内；步骤S02：减小所述反应腔室的压强；步骤S03：通入氧气和氢气的混合气体；步骤S04：恒温加热所述半导体衬底，利用所产生的原子氧来氧化所述鳍结构表面，从而形成所述的氧化层。