一种对金属前介质层进行处理的方法

摘要

本发明涉及半导体芯片制造工艺，本发明公开了一种对金属前介质层进行处理的方法，该方法包括在硅片上淀积金属前介质层，使用HF溶液对金属前介质层表面进行清洗，再经过回流工艺后检测其缺陷个数。其中采用浓度为0.485%的HF溶液清洗金属前介质层2分钟，缺陷数量得到了很大程度的降低。本发明提供的方法使得金属前介质层表面的缺陷数量大大降低，为后续的金属导线在该表面上的连续跨越，不出现断裂提供了有利的表面构型，提高了器件的可靠性。

主权项

一种对金属前介质层进行处理的方法，其特征在于，所述方法包括：采用HF溶液清洗金属前介质层。