一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件

摘要

一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，本实用新型涉及采用无引线封装结构的压力敏感器件。本实用新型要解决现有技术或者存在高温和高压使用硅油易泄露，金属引线易断裂，电极系统脱键失效，受热应力影响的问题。一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件：固体绝缘材料通过金属化层和焊料固定在管座上，引线向下穿出管座方向的固体绝缘材料外表面处设置有密封环，向上穿出管座方向的固体绝缘材料外表面处设置有多层复合材料、玻璃-金属复合材料和硼硅玻璃基座，引线顶端设置有金属电极，金属电极上表面为芯片。

主权项

一种采用无引线封装结构的SOI绝压敏感器件，其特征在于它包括引线(1)、金属化层(2)、密封环(3)、焊料(4)、固体绝缘材料(5)、过渡层(6)、管座(7)、多层复合材料(8)、玻璃‑金属复合材料(9)、硼硅玻璃基座(10)、金属电极(11)和芯片(12)，固体绝缘材料(5)固定在管座(7)上，固体绝缘材料(5)与管座(7)的连接面设置有金属化层(2)，固体绝缘材料(5)与金属化层(2)通过高温烧结成一体，金属化层(2)与管座(7)之间通过焊料(4)的烧结作用形成过渡层(6)，引线(1)贯穿固体绝缘材料(5)，引线(1)向下穿出管座(7)方向的固体绝缘材料(5)外表面处设置有密封环(3)，密封环(3)与固体绝缘材料(5)之间通过焊料(4)烧结成一体，引线(1)与密封环(3)的内孔表面通过焊料(4)烧结成一体，引线(1)向上穿出管座(7)方向的固体绝缘材料(5)外表面处设置有多层复合材料(8)、玻璃‑金属复合材料(9)和硼硅玻璃基座(10)，向上穿出管座(7)方向的引线(1)顶端设置有金属电极(11)，金属电极(11)的下表面与引线(1)通过玻璃‑金属复合材料(9)烧结成一体，金属电极(11)的上表面与芯片(12)的下表面相贴合，玻璃‑金属复合材料(9)的外表面设置硼硅玻璃基座(10)，硼硅玻璃基座(10)外表面设置多层复合材料(8)，芯片(12)的下表面与硼硅玻璃基座(10)静电封接，硼硅玻璃基座(10)的四个外侧立面与多层复合材料(8)的四个内侧立面烧结成一体，多层复合材料(8)的底面与固体绝缘材料(5)的上表面烧结成一体。