等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。

主权项

一种等离子体处理方法，其利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法的特征在于，包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以所述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺的残留浓度进行掌握的工序；以使得所述硫磺的残留浓度为设定值以下的方式，对处理方案的作为COS气体对CF类气体流量的比的COS/CF进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。