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一种纳米流体通道制作方法，包括通道模板的制作过程、通道沟槽的形成过程以及通道的键合密封过程，其特征在于，所述通道模板的制作过程包括：提供通道模板用的基底，所述通道模板用的基底包括本体层和位于所述本体层表面上的刻蚀阻挡层，所述本体层的材料为单晶硅，在作为本体层的所述单晶硅材料中，平行于所述本体层表面的晶面的原子键密度小于垂直于所述本体层表面的晶面的原子键密度，所述本体层为（110）晶向的硅衬底，且所述（110）晶向的硅衬底的（110）晶面平行于所述硅衬底表面，其（111）晶面垂直于所述硅衬底表面；在所述刻蚀阻挡层上形成模板通道图形开口，具体包括：在刻蚀阻挡层上旋涂光刻胶层，采用具有模板通道图形的掩膜版对光刻胶层进行全息曝光，在所述光刻胶层表面形成模板通道图案，进行显影，在所述光刻胶层中形成模板通道图形开口，以具有模板通道图形开口的光刻胶层为掩膜，采用等离子体干法刻蚀工艺去除模板通道图形开口下方的刻蚀阻挡层材料，在刻蚀阻挡层上形成模板通道图形开口，去除氮化硅层上剩余的光刻胶层，其中所述刻蚀阻挡层为氮化硅层；以具有模板通道图形开口的刻蚀阻挡层为掩膜，采用湿法腐蚀工艺在所述本体层表面内形成模板通道图形开口，剩余通道处的本体层材料，以在所述本体层上形成光栅结构，所述采用湿法腐蚀工艺在所述本体层表面内形成模板通道图形开口过程中，腐蚀液体对平行于所述本体层表面的晶面的腐蚀速度大于对垂直于所述本体层表面的晶面的腐蚀速度；去除剩余的刻蚀阻挡层材料，得到所述通道模板，所述通道模板的侧壁光滑、陡直且线条均匀。 |
