功率金氧半电晶体元件;POWER MOSFET DEVICE

摘要

本揭露实施例之功率金氧半电晶体元件包含至少一功率金氧半电晶体单元,设置于一基板上。该至少一功率金氧半电晶体单包含至少一晶胞、一边界、一闸极导体、以及一绝缘结构,该边界环绕该晶胞。该晶胞包含至少一源极柱及至少一汲极柱,经配置以提供一单元电流。该闸极导体环绕该源极柱及该汲极柱,并从该晶胞延伸至该边界。该绝缘结构电性隔离该闸极导体、该源极柱及该汲极柱。