半导体掺杂方法及半导体掺杂结构;METHOD OF DOPING SEMICONDUCTOR AND DOPED SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

一种半导体掺杂方法,其方法包含下列步骤。首先,提供基底,基底包含半导体结构。接着,在半导体结构上形成包含有复数个掺质之复数个有机分子,有机分子中至少包含第一有机分子及第二有机分子,其中第一有机分子结合于半导体结构上,第二有机分子结合于该第一有机分子上。以及,对有机分子进行加热制程,使掺质扩散进入半导体结构中而形成掺杂区域。