| 摘要 |
本发明系关于一种用于制造超电容器之方法,该方法包括以下步骤:(a)在基板S1上制造石墨烯膜,(b)视需要将该石墨烯膜转移至不同于该基板S1之基板S2,(c)藉由以下步骤制造叉指形结构之平面内石墨烯电极及至少一个叉指形结构之集电器:(c1)提供遮罩于该石墨烯膜上,其中该遮罩具有使得至少一个叉指形结构之石墨烯区域未被覆盖之遮罩图案,(c2)将该集电器施加至该叉指形结构之石墨烯区域上及移除该遮罩,(c3)移除该石墨烯膜之未被该集电器覆盖之部分,(d)添加电解质,以致该电解质与该等叉指形结构之平面内石墨烯电极接触。 |
