| 发明名称 | 在EUV反射镜上制造由氧化硅构成的覆盖层的方法、EUV反射镜和EUV光刻设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiO<sub>x</sub>构成的覆盖层(18)自勺方法，所述涂层反射例如用于EUV光刻设备或EUV掩模度量系统的EUV辐射(6)，该方法包含：照射由氮化硅SiN<sub>X</sub>构成或由氮氧化硅SiN<sub>x</sub>O<sub>y</sub>构成的覆盖层(18)，将所述覆盖层(18)的所述氮化硅SiN<sub>x</sub>或所述氮氧化硅SiN<sub>x</sub>O<sub>y</sub>转变为氧化硅SiO<sub>x</sub>。本发明还涉及一种包含由氧化硅SiO<sub>x</sub>构成的覆盖层的反射镜(13)，以及一种包含至少一个这种反射镜(13)的EUV光刻设备。 | ||
| 申请公布号 | CN103930805A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201280047174.2 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | D.H.埃姆;吉塞拉范·布兰肯哈根 |
| 分类号 | G02B5/08(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邸万奎 |
| 主权项 | 在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiO<sub>x</sub>构成的覆盖层(18)的方法，所述涂层反射EUV辐射(6)，所述方法包含：照射由氮化硅SiN<sub>x</sub>构成或由氮氧化硅SiN<sub>x</sub>O<sub>y</sub>构成的覆盖层(18)，以将所述覆盖层(18)的氮化硅SiN<sub>x</sub>或氮氧化硅SiN<sub>x</sub>O<sub>y</sub>转变为氧化硅SiO<sub>x</sub>。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||