分栅闪存的操作方法

摘要

本发明公开一种分栅闪存单元的操作方法，所述分栅闪存单元包括栅极、在所述栅极一侧的第一浮栅以及第一浮栅上的第一控制栅、在所述栅极另一侧的第二浮栅以及第二浮栅上的第二控制栅、位于所述第一浮栅外侧的源极端、位于所述第二浮栅外侧的漏极端，当对所述第一浮栅编程时，调整施加在所述第二控制栅的电压，保持所述源极端流向漏极端形成的沟道电流为一恒定值，所述恒定值为1毫安～100毫安。其有益效果是：当第一浮栅为编程状态时，调整在第二控制栅的电压，保持所述源极端流向漏极端形成的沟道电流为一恒定值，从而可以大幅度降低施加所述第二控制栅上的电压，避免第二浮栅下的热电子进入第二浮栅内，保持了第二浮栅的电荷状态的稳定。

主权项

一种分栅闪存单元的编程方法，所述分栅闪存单元包括栅极、在所述栅极一侧的第一浮栅以及第一浮栅上的第一控制栅、在所述栅极另一侧的第二浮栅以及第二浮栅上的第二控制栅、位于所述第一浮栅外侧的源极端、位于所述第二浮栅外侧的漏极端，其特征在于：当对所述第一浮栅编程时，调整施加在所述第二控制栅的电压，在所述漏极端施加的电压为5V～20V，保持所述源极端流向漏极端形成的沟道电流为一恒定值，所述恒定值为1毫安～100毫安。