发明名称 |
MOS晶体管及其形成方法 |
摘要 |
一种MOS晶体管及其形成方法,所述MOS晶体管包括:绝缘体上硅衬底,所述绝缘体上硅衬底包括底层硅层、位于底层硅层上的绝缘层和位于绝缘层上的顶层硅层;位于所述顶层硅层上的栅极结构;位于所述栅极结构的两侧的侧壁上的偏移侧墙;位于栅极结构和偏移侧墙两侧的顶层硅层内的浅掺杂区;位于浅掺杂区中的第一金属硅化物区,第一金属硅化物区面积大小与浅掺杂区的面积大小相适应;位于栅极结构的偏移侧墙表面的主侧墙;位于栅极结构和主侧墙两侧的顶层硅层内的深掺杂区;位于深掺杂区中的第二金属硅化物区,第二金属硅化物区的面积大小与深掺杂区的面积大小相适应。MOS晶体管具有较小的源漏寄生电阻。 |
申请公布号 |
CN103928329A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201310009780.1 |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
赵猛 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种MOS晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供绝缘体上硅衬底,所述绝缘体上硅衬底包括底层硅层、位于底层硅层上的绝缘层和位于绝缘层上的顶层硅层;在所述顶层硅层上形成栅极结构,所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极;在所述栅极结构的两侧的侧壁上形成偏移侧墙;以所述偏移侧墙和栅极结构为掩膜,进行浅掺杂离子注入,在栅极结构和偏移侧墙两侧的顶层硅层内形成浅掺杂区;进行第一金属硅化工艺,在浅掺杂区中对应形成第一金属硅化物区;在栅极结构的偏移侧墙表面形成主侧墙;以所述栅极结构和主侧墙为掩膜,进行源漏离子注入,在栅极结构和主侧墙两侧的顶层硅层内形成深掺杂区,深掺杂区和浅掺杂区构成MOS晶体管的源漏区;进行第二金属硅化工艺,在深掺杂区中对应形成第二金属硅化物区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |