半导体装置及其形成方法以及鳍式场效二极体;SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE SAME AND FINFET DIODE

摘要

本发明揭露高效率的FinFET二极体及其形成方法,而解决减少的主动面积造成传统FinFET二极体品级下降的问题。FinFET二极体具有:掺杂基底;分成彼此隔开的二群实质上平行、等间隔、细长的半导体鳍状构造;介电层,形成于二群且于鳍状构造之间用以绝缘;复数个实质上等间隔且平行、细长的闸极构造,垂直横越二群鳍状构造;及二群半导体条,分别纵长地形成在二群鳍状构造上。二群半导体条被掺杂成具有n型、p型的相反的导电形式。FinFET二极体更包含形成于半导体条上的金属接点。在一实施例中,半导体条可藉由磊晶成长整合于与鳍状构造一起形成并被就地掺杂。