氧化物烧结体、使用其的溅镀靶材及氧化物膜、光电转换元件及其制造方法;SINTERED OXIDE, SPUTTERING TARGET USING THE SAME, AND OXIDE FILM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

摘要

本发明的目的在于提供一种自化合物薄膜太阳电池的n型半导体层到p型半导体层表面可添加特定元素的溅镀靶材用氧化物烧结体。本发明的氧化物烧结体是含有锌、及至少一种电离电位Ip为4.5 eV≦Ip≦8.0 eV且原子半径d为1.20 ≦d≦2.50 以下的元素X(其中，仅添加Mg的情况除外)的氧化物烧结体，其特征在于：具有0.0001≦X/(Zn+X)≦0.20的组成比，且烧结密度为95%以上。