功率金属氧化物半导体晶体管元件

摘要

本公开公开了一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，其包含至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元，设置于一基板上。该至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元包含至少一晶胞、一边界、一栅极导体、以及一绝缘结构，该边界环绕该晶胞。该晶胞包含至少一源极柱及至少一漏极柱，经配置以提供一单元电流。该栅极导体环绕该源极柱及该漏极柱，并从该晶胞延伸至该边界。该绝缘结构电性隔离该栅极导体、该源极柱及该漏极柱。本发明的功率金属氧化物半导体晶体管元件可提供不同的电流。

主权项

一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包含：至少一功率金属氧化物半导体晶体管单元，设置于一基板上，包含：至少一晶胞及一边界，该晶胞包含至少一源极柱及至少一漏极柱，该边界环绕该晶胞；一栅极导体，环绕该源极柱及该漏极柱，并从该晶胞延伸至该边界；以及一绝缘结构，电性隔离该栅极导体、该源极柱及该漏极柱。