发明名称 |
低共模耦合效应的片上电感及其设计方法 |
摘要 |
本发明提供一种低共模耦合效应的片上电感及其设计方法,其中,所述片上电感生成于晶圆基底之上,其包括:第一连接端、第二连接端及连接于第一连接端和第二连接端之间的线路,所述线路绕成多匝线圈,所述片上电感还包括有位于所述线路中间的中间抽头,该中间抽头至第一连接端的线路长度与该中间抽头至第二连接端的线路长度相同,所述中间抽头未穿越所述线圈,所述中间抽头、所述第一连接端和第二连接端位于所述线圈的同侧。与现有技术相比,本发明中的片上电感及其设计方法可以使片上电感的中间抽头、第一连接端和第二连接端位于所述线圈的同侧,降低共模耦合的影响。 |
申请公布号 |
CN103928446A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410182110.4 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
贾天宇;吴悦 |
分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
戴薇 |
主权项 |
一种片上电感,其生成于晶圆基底之上,其特征在于,其包括:第一连接端、第二连接端及连接于第一连接端和第二连接端之间的线路,所述线路绕成多匝线圈,所述片上电感还包括有位于所述线路中间的中间抽头,该中间抽头至第一连接端的线路长度与该中间抽头至第二连接端的线路长度相同,所述中间抽头未穿越所述线圈,所述中间抽头、所述第一连接端和第二连接端位于所述线圈的同侧。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 |