发明名称 |
多重图形的形成方法 |
摘要 |
一种多重图形的形成方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成刻蚀目标层;在所述刻蚀目标层上形成第一掩膜层,所述第一掩膜层具有第一尺寸图形和第二尺寸图形;在所述刻蚀目标层上形成第一侧墙材料层和第二侧墙材料层;回刻蚀所述第二侧墙材料层形成侧墙,以所述侧墙为掩膜,刻蚀所述第一侧墙材料层,位于所述第一尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第三尺寸图形,位于所述第二尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第四尺寸图形;以所述第一尺寸图形、第二尺寸图形、第三尺寸图形和第四尺寸图形为掩膜,刻蚀所述刻蚀目标层,形成目标图形。本发明的多重图形的形成方法工艺简单,成本低。 |
申请公布号 |
CN103928303A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201310009787.3 |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
洪中山 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种多重图形的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成刻蚀目标层;在所述刻蚀目标层上形成第一掩膜层,所述第一掩膜层具有第一尺寸图形和第二尺寸图形,所述第二尺寸图形的特征尺寸大于所述第一尺寸图形的特征尺寸;在所述刻蚀目标层上形成第一侧墙材料层,所述第一侧墙材料层覆盖所述第一掩膜层,在所述第一侧墙材料层上形成第二侧墙材料层;回刻蚀所述第二侧墙材料层形成侧墙,以所述侧墙为掩膜,刻蚀所述第一侧墙材料层,直至暴露出所述刻蚀目标层,位于所述第一尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第三尺寸图形,位于所述第二尺寸图形周围的侧墙和剩余第一侧墙材料层构成第四尺寸图形;以所述第一尺寸图形、第二尺寸图形、第三尺寸图形和第四尺寸图形为掩膜,刻蚀所述刻蚀目标层,形成与第一尺寸图形对应的第一目标图形、与第二尺寸图形对应的第二目标图形、与第三尺寸图形对应的第三目标图形和与第四尺寸图形对应的第四目标图形;去除所述第一尺寸图形、第二尺寸图形、第三尺寸图形和第四尺寸图形。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |