发明名称 |
场管开启电压测试装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种场管开启电压测试装置。该装置包括:阱区;设置在阱区内的源极,源极的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反;设置在阱区内的漏极,漏极的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反;设置在阱区上且围绕在源极和漏极外围的第一厚度氧化层;设置在源极和漏极之间的第一厚度氧化层上的栅极;设置在源极上的第二厚度氧化层;设置在漏极上的第三厚度氧化层。本实用新型提供的场管开启电压测试装置,由于栅极只设置在源极和漏极之间的第一厚度氧化层上,而在源极和漏极上并未设置栅极,因此在场管开启电压的测试过程中,不会出现由于第二厚度氧化层的提前击穿导致的场管损坏或者第三厚度氧化层的提前击穿导致的测试结果不准确的问题。 |
申请公布号 |
CN203721717U |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201420068677.4 |
申请日期 |
2014.02.17 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
贺冠中 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种场管开启电压测试装置,其特征在于,包括:阱区;设置在所述阱区内的源极,所述源极的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反;设置在所述阱区内的漏极,所述漏极的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反;设置在所述阱区上且围绕在所述源极和所述漏极外围的第一厚度氧化层;设置在所述源极和所述漏极之间的所述第一厚度氧化层上的栅极;设置在所述源极上的第二厚度氧化层;设置在所述漏极上的第三厚度氧化层。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 |