| 发明名称 | 集成电路结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型的实施例涉及一种集成电路结构，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。 | ||
| 申请公布号 | CN203721726U | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201320516896.X | 申请日期 | 2013.08.21 |
| 申请人 | 意法半导体公司;国际商业机器公司 | 发明人 | N·劳贝特;柳青;S·波诺斯 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，其特征在于，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||