去除光感显影底部抗反射层缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种去除光感显影底部抗反射层PS-DBARC缺陷的方法，在光刻过程中，在涂覆了PS-DBARC步骤后，涂覆光刻胶层步骤之前，增加PS-DBARC进行预曝光的步骤。这个步骤可以弥补在后续曝光光刻胶层过程中对PS-DBARC曝光不足，而在后续PS-DBARC显影过程中产生残留及footing的现象，从而使得在PS-DBARC上形成的光刻图案不准确的问题。

主权项

一种去除光感显影底部抗反射层缺陷的方法，该方法包括：在晶片的要刻蚀层涂覆光感显影底部抗反射层后，对所述光感显影底部抗反射层进行预曝光；在所述光感显影底部抗反射层上涂覆光刻胶层后，进行曝光和显影，在光刻胶层和光感显影底部抗反射层形成要刻蚀图案；所述预曝光的曝光剂量为所述光刻胶层进行曝光采用的剂量的20%～80%，曝光条件与所述光刻胶层进行曝光条件相同。