发明名称 |
Cu-Ga合金溅镀靶及其制造方法 |
摘要 |
一种Cu-Ga合金溅镀靶,其Ga为22at%以上且29at%以下,剩余部分由Cu及不可避免之杂质构成,且系经熔解、铸造而成者,其特征在于:具有为Cu与Ga之金属间化合物层的共析组织,该共析组织系由ζ相与γ相之混合相构成,于将该γ相之直径设为Dμm,将Ga浓度设为C at%之情形时,满足关系式D≦7×C-150。铸造组织之溅镀靶与烧结体靶相比,具有可减少氧气等气体成分之优点。藉由使具有该铸造组织之溅镀靶以固定之冷却速度以上之凝固条件连续地固化,可获得使氧气减少且使偏析相分散之良质之铸造组织之靶。 |
申请公布号 |
TW201428114 |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
TW102140066 |
申请日期 |
2013.11.05 |
申请人 |
JX日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
田村友哉 |
分类号 |
C23C14/14(2006.01);C22C9/00(2006.01);C22F1/08(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
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地址 |
JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION 日本 |