发明名称 |
鳍式场效晶体管中栅极的分离方法 |
摘要 |
本发明公开了一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法,其包括:在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层,并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层;对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨,并停止于所述鳍的保护层;有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩;通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩,并停止于对应位置处的保护层;以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层,以裸露所述栅极层中另一栅极;以及去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。本发明中,在分离栅极时,由于在前期结构中增加了牺牲层,可以准确的控制刻蚀的准确度,避免对结构的损伤,从而可以降低自对准的难度。 |
申请公布号 |
CN103928349A |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201410174584.4 |
申请日期 |
2014.04.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
鲍宇 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种鳍式场效晶体管中栅极的分离方法,其特征在于,包括:在所述鳍式场效晶体管中鳍的顶端设置一保护层,并形成一栅极层以及位于栅极层上表面的牺牲层;对所述栅极层上表面设置的牺牲层进行化学机械研磨,并停止于所述鳍的保护层;有选择地在栅极层中一栅极对应的栅极层和牺牲层上表面形成一光罩;通过刻蚀工艺刻蚀掉所述栅极层中一栅极之上的光罩,并停止于对应位置处的保护层;以及刻蚀掉所述栅极层中另一栅极上的保护层,以裸露所述栅极层中另一栅极;去除所述栅极层之上的剩余的牺牲层。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |