发明名称 | 一种晶片变形检测系统及方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种晶片变形检测系统及方法,其中所述晶片变形检测系统包括:承载平台、激光发生器、标准图形板;所述承载平台用以承载晶片;所述激光发生器设于所述承载平台承载的晶片的一侧,用以发射线状激光射线照射到所述承载平台承载的晶片表面上;所述标准图形板设于所述承载平台承载的晶片的另一侧,用以显现经所述晶片折射后的线状激光射线的投影中的直线是否发生变形。本发明利用线状激光射线经过微变形的晶片表面反射时,在微变形区域的反射角度会发生变化,从而导致反射后得到的线状镜像有明显变化的原理实现了对晶片变形的检测,该检测方式操作简单,准确率达到95%以上,大幅度节省劳动成本,缩短了检测时间,提高了检测流程的工作效率。 | ||
申请公布号 | CN103925886A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
申请号 | CN201310015071.4 | 申请日期 | 2013.01.15 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张恒辉;汤敬计;林佳佳 |
分类号 | G01B11/16(2006.01)I | 主分类号 | G01B11/16(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
主权项 | 一种晶片变形检测系统,其特征在于,所述晶片变形检测系统包括:承载平台,用以承载晶片;激光发生器,设于所述承载平台承载的晶片的一侧,用以发射线状激光射线照射到所述承载平台承载的晶片表面上;标准图形板,设于所述承载平台承载的晶片的另一侧,用以显现经所述晶片折射后的线状激光射线的投影中的直线是否发生变形。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |