浮栅型阻变存储单元结构及其操作方法

摘要

本发明提出一种浮栅型阻变存储单元结构及其操作方法，该浮栅型阻变存储单元结构包括：半导体衬底；形成在半导体衬底之下的背电极；形成在半导体衬底之上的隧穿介质层；形成在隧穿介质层之上的浮栅；形成在浮栅之上的阻变存储介质层；以及形成在阻变存储介质层之上的上电极。本发明实施例的浮栅型阻变存储单元结构，结构简单，可以通过半导体领域成熟的工艺制造，兼容性高，适合大批量生产，成本较低；通过引入的浮栅结构，能够有效的改善传统RRAM在reset操作中的大电流问题，具有良好的存储性能和高密度集成潜力。

主权项

一种浮栅型阻变存储单元结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之下的背电极；形成在所述半导体衬底之上的隧穿介质层；形成在所述隧穿介质层之上的浮栅；形成在所述浮栅之上的阻变存储介质层；以及形成在所述阻变存储介质层之上的上电极。