一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法

摘要

本发明专利涉及一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法，其以硫酸钴和钼酸铵为反应原料，采用聚乙二醇为结构导向剂，溶剂选用蒸馏水，在微波辐射反应器中调控材料的生长方向。制备的钼酸钴纳米棒材料的直径为20～30纳米、长度为1.5～3.0微米；多根纳米棒聚集成束状，并相互交联城多孔结构。采用聚乙二醇辅助微波辐射技术在合成过程中可可明显导向材料的一维生长特性、明显缩短反应时间、利于结构导向剂在微波体系中均匀地吸附在晶核表面；另外，钼酸钴纳米棒因微观结构的规整性，有望明显提升其在电化学和催化转化应用领域的综合性能。

主权项

一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法，其特征在于：在室温下，首先配制硫酸钴与聚乙二醇的混合溶液，其中硫酸钴CoSO₄·7H₂O的摩尔浓度为0.200mol/L、聚乙二醇的摩尔浓度为0.002mol/L；配置0.0285mol/L的钼酸铵(NH₄)₆Mo₇O₂₄溶液；然后将上述两种溶液转移至反应容器中并充分搅拌10分钟；待混合完毕后，将反应容器转移至微波辐射反应装置，加热时间设定为30分钟；待反应结束后，先将所得超细产物经离心分离，再用蒸馏水洗涤5次、无水乙醇洗涤2次，最后在50℃保温干燥48小时，得到钼酸钴纳米棒材料；样品XRD衍射图分析表明样品的分子式为CoMoO₄，与标准卡片号15‑439对应一致；低倍SEM测试图表明产物为长度1.5～3.0微米的结构均匀的钼酸钴纳米棒材料，且多根纳米棒聚集成束状，并组装成形貌规整的多孔结构；纳米棒的直径为20～30纳米。