| 发明名称 | 平面型功率MOS器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种可以大幅降低制造成本的平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环极。 | ||
| 申请公布号 | CN203721733U | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201420033813.6 | 申请日期 | 2014.01.20 |
| 申请人 | 张家港凯思半导体有限公司 | 发明人 | 殷允超;丁磊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人 | 张玉平 |
| 主权项 | 一种平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环。 | ||
| 地址 | 215621 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司 | ||