发明名称 | 抑制植入物渗透之多层多晶矽;MULTI-LAYER POLYSILICON SUPPRESSION OF IMPLANT SPECIES PENETRATION | ||
摘要 | 一种阻隔半导体层,用以将植入物渗透入阻隔半导体层下方之半导体层的量降至最低。阻隔半导体层可以具有较细或较小尺寸之晶粒及/或较低浓度之掺杂物,以将植入物渗透入阻隔半导体层下方之半导体层的量降至最低。 | ||
申请公布号 | TW201428826 | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
申请号 | TW102100815 | 申请日期 | 2013.01.09 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 江圳陵;张文明;郑俊民;杨令武;陈光钊 |
分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号 |