发明名称 抑制植入物渗透之多层多晶矽;MULTI-LAYER POLYSILICON SUPPRESSION OF IMPLANT SPECIES PENETRATION
摘要 一种阻隔半导体层,用以将植入物渗透入阻隔半导体层下方之半导体层的量降至最低。阻隔半导体层可以具有较细或较小尺寸之晶粒及/或较低浓度之掺杂物,以将植入物渗透入阻隔半导体层下方之半导体层的量降至最低。
申请公布号 TW201428826 申请公布日期 2014.07.16
申请号 TW102100815 申请日期 2013.01.09
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 江圳陵;张文明;郑俊民;杨令武;陈光钊
分类号 H01L21/22(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L21/22(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号