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经营范围
发明名称
半导体记忆装置;SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
单元电源线(PVL0-PVLn)系为每记忆单元列所配设,并分别根据对应列的位元线(BL0,/BL0-BLn,/BLn)的电压准位而调整单元电源线的阻抗或电压准位。在资料写入时,单元电源线根据选择列的位元线电位成为浮动状态且电压准位改变,以及选择记忆单元的闩锁能力降低,并快速写入资料。即使在低电源电压下,也可以实现稳定地执行资料写入和读出的静态型半导体记忆装置。
申请公布号
TW201428743
申请公布日期
2014.07.16
申请号
TW103110240
申请日期
2006.05.16
申请人
瑞萨电子股份有限公司
发明人
新居浩二;大林茂树;牧野博之;石桥孝一郎;筱原寻史
分类号
G11C11/413(2006.01)
主分类号
G11C11/413(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本
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