于原子层沉积制程中调节沉积速率的方法;METHOD FOR TUNING A DEPOSITION RATE DURING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS

摘要

本发明之实施例提出在如原子层沉积(ALD)制程之气相沉积制程期间沉积材料至处理腔室内之基材上的方法。在一实施例中，提出方法包括于ALD制程期间，使基材相继暴露第一前驱物气体和至少一第二前驱物气体，同时沉积材料至基材上、以及在ALD制程之前及/或期间，使基材持续或定期暴露处理气体。藉由改变暴露基材的处理气体量，可控制沉积材料的沉积速率。在一实例中，氮化钽沉积在基材上，烷胺基金属前驱物气体含有钽前驱物，例如五(二甲胺基)钽(PDMAT)，第二前驱物气体含有氮前驱物，例如氨气，处理气体含有二甲胺(DMA)。