| 发明名称 | 具有间隙空位的聚结纳米线结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体装置，例如LED，其包括多个位于支撑物上的第一导电型半导体纳米线核心、在所述核心之上及周围延伸的连续第二导电型半导体层、多个位于所述第二导电型半导体层中并在所述核心之间延伸的间隙空位、及与所述第二导电型半导体层接触的第一电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN103931004A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201280055624.2 | 申请日期 | 2012.09.25 |
| 申请人 | GLO公司 | 发明人 | 帕特里克·斯文森;琳达·罗马诺;李圣秀;欧嘉·克莱里奥克;张英兰 |
| 分类号 | H01L33/02(2006.01)I;H01L33/04(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 江葳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包含：多个位于支撑物上的第一导电型半导体纳米线核心；在所述核心之上及周围延伸的连续第二导电型半导体层；多个位于所述第二导电型半导体层中并在所述核心之间延伸的间隙空位；及与所述第二导电型半导体层接触的第一电极层。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||