多台阶器件结构底层表面的光刻方法

摘要

多台阶器件结构底层表面的光刻方法，属于光刻技术领域。本发明采用SEM观察涂覆光刻胶样品的剖面，测量台阶底部的光刻胶厚度。使用光度分光计及数据拟合方法做出台阶底部光刻胶在不同曝光时间下的透过率曲线，找出光刻胶完全曝光所需时间，最终完成对工艺条件的优化。本发明克服了台阶底部堆积光刻胶的情况，通过简单的材料表征及分光计实验即可获得准确的完全曝光时间，简单有效，适用于工业化生产中各种多台阶器件结构的光刻工艺。

主权项

高深宽比多台阶器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在未经刻蚀的GaAs晶圆片表面光刻制作图形，线宽为6μm，刻蚀第一个台阶，台阶高度2.2μm；然后在底层光刻制作图形，线宽为4μm，刻蚀第二个台阶，台阶高度3.7μm；在上述得到的具有多台阶结构的晶圆片表面准备制作线宽为2μm的第三个台阶的图形，在上述得到的具有多台阶结构的晶圆片表面涂覆一层光刻胶；（2）用扫描电子显微镜（SEM）观察涂覆光刻胶后的具有多台阶表面的样品剖面，并对台阶底部的光刻胶厚度进行测量；（3）将与台阶底部光刻胶一样厚度的光刻胶涂覆到玻璃上进行透光率测试，使用光度分光计测量该厚度的光刻胶在不同曝光时间内的透过率，取光度分光计的波长与光刻机曝光用紫外灯的波长一致；（4）将步骤（3）所得的透过率与时间的关系数值拟合得到与台阶底部光刻胶厚度一致的光刻胶在不同曝光时间内的透过率曲线，找出透过率趋于不变的拐点时间，完全曝光时间为60s；（5）取根据透过率曲线得到的拐点时间作为在台阶底部完成图形制作的工艺曝光时间50s，进行光刻，制备第三个台阶图形，进行刻饰，台阶高度为5.4μm；所述的台阶底部均指多台阶器件的最底层面，台阶底面为几个微米宽，制备的图形线条同样是小于台阶底面宽度的微米级，上述所有光刻胶胶型为S9912。